拉萨单晶硅差压变送器
该设备核心为单晶硅压阻式传感器，集成温度补偿和双过载保护膜结构，具备抗电磁干扰能力。采用纳米单晶硅材料和高纯度双梁悬浮设计，精度可达0.075%FS，量程比最高达200:1，支持宽温域工作（-40~120℃）及IP66/IP67防护等级 [5]。内置HART协议，可通过HART375等设备进行参数设定与通信，适用于防爆、卫生型等复杂工业环境
类别：
产品描述
该设备核心为单晶硅压阻式传感器，集成温度补偿和双过载保护膜结构，具备抗电磁干扰能力。采用纳米单晶硅材料和高纯度双梁悬浮设计，精度可达0.075%FS，量程比最高达200:1，支持宽温域工作（-40~120℃）及IP66/IP67防护等级 [5]。内置HART协议，可通过HART375等设备进行参数设定与通信，适用于防爆、卫生型等复杂工业环境
